Thyristor Kontrol Fase (Tipe Paduan)

Katerangan:

Thyristor, ogé katelah Silicon Control Rectifier (SCR), mangrupikeun alat semikonduktor kakuatan tinggi anu diwangun ku tilu struktur PN.Dina watesan kinerja, thyristor teu ngan boga konduktivitas unidirectional, tapi ogé boga controllability leuwih berharga batan unsur panyaarah silikon, nu ngan dua kaayaan konduksi jeung off-kaayaan, ngadalikeun kakuatan badag kalayan kakuatan leutik, kakuatan Gedekeun nepi ka ratusan atawa rébuan kali.Réaksina gancang pisan, hurung sareng mareuman dina mikro-detik.Operasi non-kontak, euweuh Sparks, euweuh noise, bari efisiensi tinggi jeung béaya rendah.Ku alatan éta, utamana dina sistem catu daya tinggi, thyristor geus loba dipaké dina circuit panyaarah, switch bypass statik, switch kaluaran bébas kontak jeung sirkuit lianna.

Standar manufaktur thyristor sareng téknologi pamrosésan RUNAU Electronics diwanohkeun ti AS ti saprak 1980s, salaku pelopor manufaktur thyristor di China, tim téknis RUNAU parantos nampi pangaweruh anu canggih sareng pangalaman manufaktur anu ageung langkung ti 30 taun.Dina dasar prosés manufaktur tradisional, teknisi bakat RUNAU Electronics parantos ngembangkeun téknologi seni-nagara dina manufaktur thyristor kalayan fitur kaunggulan produk Éropa, kualitas sareng kinerja ningkat pisan, langkung seueur kameunangan anu dihontal dina aplikasi éléktronika kakuatan. widang, sarta nilai leuwih dijieun pikeun mitra.

bubuka:

1. Kiripik

Chip thyristor anu diproduksi ku RUNAU Electronics nyaéta téknologi paduan sinter anu dianggo.Silikon jeung molybdenum wafer ieu sintered pikeun alloying ku aluminium murni (99,999%) dina vakum luhur jeung lingkungan suhu luhur.Administrasi ciri sintering mangrupikeun faktor konci pikeun mangaruhan kualitas thyristor.The know-how of RUNAU Electronics salian pikeun ngatur jero simpang alloy, flatness permukaan, rongga alloy ogé skill difusi pinuh, Gerbang tengah, pola bunderan ring anu dilarapkeun pikeun ngaktipkeun operasi konduksi dipercaya jeung tinggi efisien of thyristor, guna mastikeun kinerja kualitas luhur.

2. Enkapsulasi

Ku kontrol ketat ngeunaan flatness na parallelism of molybdenum wafer jeung pakét éksternal, chip sarta molybdenum wafer bakal terpadu kalayan pakét éksternal pageuh tur lengkep.Sapertos bakal ngaoptimalkeun résistansi arus surge sareng arus sirkuit pondok anu luhur.Sareng pangukuran téknologi évaporasi éléktron dianggo pikeun nyiptakeun pilem aluminium kandel dina permukaan wafer silikon, sareng lapisan ruthenium anu dilapis dina permukaan molybdenum bakal ningkatkeun résistansi kacapean termal, waktos hirup kerja thyristor bakal ningkat sacara signifikan.

spésifikasi teknis

1. Thyristor dikawasa fase sareng chip tipe alloy anu diproduksi ku RUNAU Electronics, rentang I_TAVti 300A ka 6000A sareng V_DRM/V_RRMti 800V ka 4400V.
2. I_GT, V_GTjeung Abdi_Hnyaeta nilai test dina 25 ℃, iwal disebutkeun béda, sadaya parameter sejenna mangrupakeun nilai test dina T._jm;
3. I²t= kuring²F SM×tw/2, tw= Sinusoida satengah gelombang lebar dasar arus.Dina 50Hz, kuring²t=0,005 kuring²FSM(A²S);
4. Dina 60Hz: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms)×1,066,T_j=T_j;abdi²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0,943,T_j=T_jm

Parameter: